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J-GLOBAL ID：201702219099739614   整理番号：17A0665086

[001]配向ZnO薄膜とその物理的機構における光起電力効果【Powered by NICT】

The photovoltaic effect in a [001] orientated ZnO thin film and its physical mechanism

著者 (8件)： Liu Bin (Shaanxi Key Laboratory for Advanced Energy Devices, Shaanxi Engineering Laboratory for Advanced Energy Technology, Key Laboratory of Macromolecular Science of Shaanxi Province, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an, 710119, China. [e-mail]) ,  Wang Jinlei ,  Pei Cuijin ,  Ning Lichao ,  Cheng Lijuan ,  Zhang Congjie ,  Yang Heqing ,  Liu Shengzhong (Frank)
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 16  ページ： 9596-9604  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい型光起電力効果を報告した。光起電素子は加熱Zn(NO_3)2溶液で合成された[001]配向ウルツ鉱型ZnO薄膜を用いて構築した。ZnO光起電素子の開路電圧(V_oc)と短絡電流(I_sc)は365nm紫外線ランプ(3 W)照明下で,それぞれ0.16mVと0.25μAである。ZnO薄膜の頂部と底部平面を横切る電流整流が観測された。ZnO薄膜の光起電力と整流特性はTC(002)の大きさに関連している。内部電場は[001]方向の自発分極によるZnO膜で産生される。内部電場の存在は,光起電力効果の基本的な物理的基礎であると,光子-電子変換の新しい物理的機構を提案した。静電ポテンシャルは,半導体と外部荷重における光生成した電子と正孔の流れのための駆動力を提供し,光の電子への変換を達成した。著者らの結果は,p-n接合を超えて光起電力素子を開発する戦略として薄膜テクスチャリングを示唆している。添加では,光の電子への変換モデルは,強誘電体および焦電材料における光起電力効果と先進的な太陽電池や他の電子および光電子デバイスの設計と製作の理解への新しい洞察を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *亜鉛 ,  PN接合 ,  短絡電流 ,  太陽電池 ,  整流 ,  *薄膜 ,  *光起電力効果 ,  正孔 ,  *光起電力 ,  *酸化亜鉛 ,  電圧 ,  強誘電体 ,  半導体
準シソーラス用語： 内部電場 ,  開回路電圧 ,  *ZnOフィルム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向 ,  ZnO薄膜 ,  物理 ,  光起電力効果