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J-GLOBAL ID：201702219105436464   整理番号：17A0549524

電気化学堆積法によるCu₂O/InPヘテロ界面の形成(3)

著者 (3件)： 近江沙也夏 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-P16-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  界面 ,  *ヘテロ接合 ,  電着 ,  酸化銅 ,  リン化インジウム ,  多孔性 ,  白金 ,  電流電圧特性 ,  走査電子顕微鏡 ,  ヘテロ界面
準シソーラス用語： 電気化学堆積

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学堆積 ,  Cu2O ,  InP ,  ヘテロ界面