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J-GLOBAL ID：201702219106108218   整理番号：17A0445236

h-BN支持層における自然空格子点による黒りんの意図的でないドーピングの効果【Powered by NICT】

Unintentional doping effects in black phosphorus by native vacancies in h-BN supporting layer

著者 (4件)： Zhu Jiaduo (Wide Bandap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Wide Bandap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Xu Shengrui (Wide Bandap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (Wide Bandap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 175-181  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 使用したh-BN支持層中の欠陥からの黒りん(BP)における間接ドーピング効果を調べたab initio計算。基板中の欠陥は弱いvan der Waals効果によるBP層にドーピングを導入した強いことを見出した。h-BN中のいろいろな自然空格子点を考慮して,BPの間接的n型ドーピングは孤立した窒素空格子点の場合発現だけであることを見出した。P型ドーピングは異なる二空格子点,公表された実験の報告と一致することを含む多くの場合を提示した。に加えて,著者らはh-BNにBPの存在も欠陥h-BN層の固有の磁気的性質を変化させることを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *黒リン ,  磁気的性質
準シソーラス用語： 窒素空格子点 ,  第一原理計算 ,  ドーピング効果 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 黒リン ,  BN ,  密度汎関数理論 ,  空格子点欠陥

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： h-BN ,  支持層 ,  空格子点 ,  黒りん ,  意図 ,  ドーピング