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J-GLOBAL ID：201702219121979615   整理番号：17A0446124

太陽電池応用のための2段階プロセスにより作製したCu_3SbS_4薄膜の成長と特性【Powered by NICT】

Growth and properties of Cu₃SbS₄ thin films prepared by a two-stage process for solar cell applications

著者 (3件)： Chalapathi U. (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 38541, South Korea) ,  Poornaprakash B. (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 38541, South Korea) ,  Park Si-Hyun (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 38541, South Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 6  ページ： 5229-5235  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_3SbS_4は,適当な光学的および電気的特性のために,薄膜ヘテロ接合太陽電池のための有望な材料である。本論文では,異なる温度で開催されたグラファイトボックスにおけるSb_2S_3/CuSスタック,化学浴析出法により生成した,をアニーリングすることによってCu_3SbS_4薄膜の調製を報告した。これらの膜の成長と性質に及ぼすアニーリング温度の影響を調べた。これらの膜は適切な特性評価技術を用いてそれらの構造的,微細構造的,光学的および電気的性質を評価することにより系統的に解析した。X線回折分析は,これらの膜は格子定数=0.537nmと1.087nmの正方晶結晶構造を示すことが分かった。それらの結晶子サイズはスタックのアニーリング温度の上昇と共に増加した。これらの膜のRaman分光分析は,132年,247年,273年,317年,344年,358および635cm~ 1Cu_3SbS_4相によるでモードを示した。X線光電子分光分析は,350°Cでスタックをアニールすることにより作製した膜は,Cu,SbおよびSの一と 2酸化状態のCuとSbリッチ組成を示したことを明らかにした。形態学的研究は,焼なまし温度の上昇により膜の結晶粒径の改善を示した。これらの膜の直接光学バンドギャップは0.82 0 0.85eVの範囲であった。Hall測定は,膜がp型特性とその電気抵抗率,正孔移動度と正孔濃度は0.14 1 20Ω-cm,0.05 2 11cm~2V~ 1S~ 1と9.4×10~20 1.4×10~19cm~ 3の範囲にあることを示した。これらの構造,形態,光学および電気特性はCu_3SbS_4は多重接合太陽電池の底部セル用の吸収体層として使用できることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  吸収体 ,  焼なまし ,  X線回折分析 ,  光学ギャップ ,  結晶粒径 ,  *太陽電池 ,  *銅 ,  格子定数 ,  電気抵抗率 ,  キャラクタリゼーション ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  化学浴析出 ,  ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cu_3SbS_4薄膜 ,  2段階プロセス ,  構造特性 ,  Raman分光分析 ,  光吸収 ,  電気的性質

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  応用 ,  2段階プロセス ,  作製 ,  薄膜 ,  成長