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J-GLOBAL ID：201702219245394727   整理番号：17A0697727

金属-酸化物界面における水素放出:水素化Al/SiO_2界面の第一原理研究【Powered by NICT】

Hydrogen release at metal-oxide interfaces: A first principle study of hydrogenated Al/SiO₂ interfaces

著者 (5件)： Huang Jianqiu (Department of Mechanical Engineering, Virginia Tech, Goodwin Hall, 635 Prices Fork Road - MC 0238, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Tea Eric (Department of Mechanical Engineering, Virginia Tech, Goodwin Hall, 635 Prices Fork Road - MC 0238, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Li Guanchen (Department of Mechanical Engineering, Virginia Tech, Goodwin Hall, 635 Prices Fork Road - MC 0238, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Hin Celine (Department of Mechanical Engineering, Virginia Tech, Goodwin Hall, 635 Prices Fork Road - MC 0238, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Hin Celine (Department of Material Science and Engineering, Virginia Tech, Goodwin Hall, 635 Prices Fork Road-MC 0238, Blacksburg, VA 24061, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 406  ページ： 128-135  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面での陽極水素放出(AHR)機構である欠陥の生成,電荷キャリアを捕獲し,金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける絶縁破壊を誘導することの原因である。AHRはSi/SiO_2界面で広く研究されてきたが,金属シリカ界面におけるその特性は不明のままである。本研究では,典型的なAl/SiO_2金属-酸化物界面での水素放出機構を研究するために密度汎関数理論(DFT)計算を行った。格子間水素原子は界面AlSi結合を壊し,Si.~3軌道を不動態化できることを見出した。格子間水素原子も界面AlO結合を壊し,またはアルミニウム上の界面で吸着され,安定なAlHAl橋を形成した。Al/SiO_2界面での水素化OH,SiHとAlH結合が分極することを示した。得られた結合双極子はOHとSiH結合を弱めるが,金属ゲートでの正のバイアスの印加のもとでAlH結合を強化する。著者らの計算は,AlH結合とOH結合が水素放出過程のSiH結合よりもより重要であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  双極子 ,  FET【トランジスタ】 ,  計算 ,  *第一原理 ,  絶縁破壊 ,  *界面 ,  *ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *水素化 ,  アルミニウム ,  不動態化 ,  半導体
準シソーラス用語： Si-H結合 ,  電荷キャリア ,  *水素放出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 水素放出 ,  インタフェイス ,  点欠陥 ,  絶縁破壊

分類 (3件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  界面 ,  水素放出 ,  水素化 ,  Al ,  第一原理 ,  研究