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J-GLOBAL ID:201702219410011282   整理番号:17A0402420

ビスマス被覆ITOガラス上の水素支援rfマグネトロンスパッタリングにより作製したシリコンナノワイヤ【Powered by NICT】

Silicon nanowires prepared by hydrogen-assisted rf-magnetron sputtering on bismuth-coated ITO glass
著者 (6件):
資料名:
巻: 188  ページ: 312-315  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリコンナノワイヤ(SiNW)を水素支援rfマグネトロンスパッタリング蒸着による50nmの厚さのビスマス(Bi)触媒被覆を用いた低温(260°C)でITOガラス基板上に成長させた。基板を含むSiNW温度と流量比水素(H_2)/アルゴン(Ar)の成長条件を詳細に研究した。成長温度と流量比が260から400°Cまで,それぞれ15/85から45/55まで増加すると,SiNWの密度と平均長さは非単調な変化を示した。合成SiNWは60分の析出プロセスの平均長さ1.2μmのITOガラス基板上とH_2/Ar(25/75)の流量比で無秩序に配向していた。SiNWの合成機構は,蒸気-液体-固体(VLS)機構によって解釈した。RamanスペクトルはSiNWは非晶質およびナノ結晶性シリコンから構成されていることを示し,結晶化したSiNWの体積分率は成長温度の増加に伴って急激に低下する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 

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