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J-GLOBAL ID：201702219419796204   整理番号：17A0326042

フェニルアラニンエナンチオ選択的検出のための分子インプリントポリマーに基づく拡張ゲート電界効果トランジスタ化学センサ【Powered by NICT】

Molecularly imprinted polymer based extended-gate field-effect transistor chemosensors for phenylalanine enantioselective sensing

著者 (10件)： Iskierko Z. (Institute of Physical Chemistry, Polish Academy of Sciences (IPC PAS), Kasprzaka 44/52, 01-224 Warsaw, Poland. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Checinska A. ,  Sharma P. S. ,  Golebiewska K. ,  Noworyta K. ,  Borowicz P. ,  Fronc K. ,  Bandi V. ,  D’Souza F. ,  Kutner W.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 4  ページ： 969-977  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学センシングシステムは,dおよびL-フェニルアラニンのエナンチオ選択的定量(dおよびL-Phe)のために考案した。これらシステムの認識単位として,分子刷込高分子(MIPs)を,DFT計算により誘導された,を設計し,そして合成した。これらMIPの調製のために,カルボキシ誘導体ビス(ビチオフェン)は機能性単量体として使用した。鋳型と鋳型抽出MIP膜及び非インプリントポリマー(NIP)膜の両方をIR分光法によって特性化Phe鋳型,そして抽出を証明した。延長ゲート電界効果トランジスタ(EG FETs)は変換器として機能した。EGFETゲートは,電解重合により,完全な化学センサをもたらすdor(L-Phe)鋳型MIP膜で被覆した。これら化学センサはdおよびL-Pheエナンチオマ検体に応答した迅速かつ選択的に。単一原子による異なる検体の同族列並びにそれらの三次元構造の異なるエナンチオマの対を識別した。dおよびL-Pheのための線形動的濃度範囲は13から100μMまで拡張した。Phe鏡像体の両方に対して,検出限界は13μMであった。エナンチオ選択性因子は両化学センサのための~2.3であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エナンチオマ ,  検出限界 ,  キャラクタリゼーション ,  密度汎関数法 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電解重合 ,  *化学センサ ,  線形性 ,  赤外分光法
準シソーラス用語： エナンチオ選択性 ,  三次元構造 ,  単一原子 ,  機能性モノマ ,  センサシステム ,  *分子刷込高分子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子インプリントポリマー ,  拡張 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  化学センサ