文献

J-GLOBAL ID：201702219658842489   整理番号：17A0077587

ICPECVD法による備Yang化硅薄膜の調製技術の研究【JST・京大機械翻訳】

Study on Silicon Oxide Films Deposition Process by ICPECVD

著者 (6件)： Liu Yutao (North University of China, Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Eduation, Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory) ,  Liang Ting (North University of China, Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Eduation, Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory) ,  Wang Xinxin (North University of China, Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Eduation, Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory) ,  Wang Taolong (North University of China, Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Eduation, Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory) ,  Zhang Rui (North University of China, Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Eduation, Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory) ,  Xiong Jijun (North University of China, Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Eduation, Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory)
資料名： Yibiao Jishu yu Chuanganqi  (Yibiao Jishu yu Chuanganqi)
号： 4  ページ： 13-14,039  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2449A  ISSN： 1002-1841  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 反応性ガスとしてSH_4と0_2を用い,誘導結合プラズマ強化化学蒸着(ICPECVD)によりシリコン薄膜を調製した。直交実験設計法を用いて,反応速度,基板温度,およびRFパワーの3つのキープロセスパラメータが,酸化ケイ素薄膜の成長速度に及ぼす影響を研究した。実験結果は以下を示す。反応器の圧力とRFパワーは堆積速度に影響を与え,エッチング速度に対する各パラメータの影響度は反応器の圧力である。RF電力,基板温度,および蒸着速度に及ぼす選択パラメータの影響について議論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板温度 ,  反応性 ,  堆積速度 ,  直交性 ,  電磁結合 ,  実験計画法 ,  成長速度 ,  プラズマCVD ,  電力 ,  反応速度 ,  *薄膜 ,  反応器
準シソーラス用語： 蒸着速度 ,  エッチング速度 ,  シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ICPECVD ,  silicon oxide films ,  orthogonal experiment ,  deposition rate

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  調製 ,  研究