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J-GLOBAL ID：201702220043145956   整理番号：17A0318948

Pb_0 8La_0 1Ca_0 1Ti_0Sr0.975O_3種子層により誘起された0.94NBT O-0.06BT薄膜の増強されたエネルギー貯蔵性能【Powered by NICT】

Enhanced energy-storage performance of 0.94NBT-0.06BT thin films induced by a Pb_0.8La_0.1Ca_0.1Ti_0.975O₃ seed layer

著者 (10件)： Zhang Y.L. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Li W.L. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Li W.L. (National Key Laboratory of Science and Technology on Precision Heat Processing of Metals, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Cao W.P. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Zhang T.D. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Bai T.R.G.L. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Yu Y. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Hou Y.F. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Feng Y. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Fei W.D. (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 13  ページ： 14788-14792  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb_0 8La_0 1Ca_0 1Ti_0Mg0.05O2.975O_3シード層なし0.94(Na_0 5Bi_0 5TiO_3) 0.06BaTiO_3強誘電体薄膜をゾル-ゲル法を用いて白金バッファのシリコン基板上に堆積した。作製したままの膜の微細構造,強誘電特性とエネルギー貯蔵性能に及ぼすPb_0 8La_0 1Ca_0 1Ti_0Mg0.05O2.975O_3シード層と焼なまし温度の影響を詳細に調べた。低アニーリング温度とPb_0 8La_0 1Ca_0 1Ti_0Mg0.05O2.975O_3シード層は,電気破壊電場強度とP_max P_Rの値,高い回復可能エネルギー貯蔵密度のための重要な役割を果たしていることが改善することができた。3310kV/cmの高い電気破壊場強度値のために,W=17.2cm~3の大きな回復可能なエネルギー密度と74.3%の高いエネルギー効率をPb_0 8La_0 1Ca_0 1Ti_0Mg0.05O2.975O_3シード層,450°Cでアニールした0.94(Na_0 5Bi_0 5TiO_3) 0.06BaTiO_3薄膜で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電性 ,  *エネルギー貯蔵 ,  エネルギー密度 ,  白金 ,  エネルギー効率 ,  ゲル ,  微細構造 ,  *薄膜 ,  電界強度 ,  ゾル-ゲル法
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  焼きなまし温度 ,  シリコンウエハ ,  強誘電体薄膜 ,  シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： NBT BT薄膜 ,  ゾル-ゲル法 ,  エネルギー貯蔵

分類 (6件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  静電機器  (NB10020R) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 種子 ,  誘起 ,  薄膜 ,  増強 ,  エネルギー貯蔵