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J-GLOBAL ID：201702220499420242   整理番号：17A0697164

GaAs_1-x Sb-xエピ層のLPE成長と光学特性【Powered by NICT】

LPE growth and optical characteristics of GaAs1- x Sb x epilayer
著者 (7件)：
Wang Yang

Wang Yang について

(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について

, 
Hu Shuhong

Hu Shuhong について

(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について

, 
Zhou Wei

Zhou Wei について

(Key Laboratory of Space Active Opto-Electronics Technology, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

Key Laboratory of Space Active Opto-Electronics Technology, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について

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Sun Yan

Sun Yan について

(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について

, 
Zhang Bin

Zhang Bin について

(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について

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Wang Chao

Wang Chao について

(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について

, 
Dai Ning

Dai Ning について

(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China)

National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, PR China について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 463  ページ： 123-127  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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一連GaAs_1-xSb_ エピ層は約550°Cで液相エピタクシー(LPE)法によるGaAs(100)基板上に成長させることに成功した。異なるアンチモン(Sb)含有量を持つ試料を高分解能X線回折(HRXRD)測定,エピ層中のSbの取り込みを確認するにより解析した。GaAs_1-xSb_ エピ層の室温光学的性質を光ルミネセンス(PL)と透過スペクトルにより行った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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液相成長

液相成長 について

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光ルミネセンス

光ルミネセンス について

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*ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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*LPE成長

LPE成長 について

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*光学的性質

光学的性質 について

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*アンチモン

アンチモン について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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透過スペクトル

透過スペクトル について

, 
高分解能X線回折

高分解能X線回折 について

, 
*エピタキシャル層

エピタキシャル層 について

, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件)：
A1の結晶構造

A1の結晶構造 について

, 
A1高分解能X線回折

A1高分解能X線回折 について

, 
A3液相エピタクシー

A3液相エピタクシー について

, 
B2半導性三元化合物

B2半導性三元化合物 について

分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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Sb

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エピ層

エピ層 について

, 
LPE成長

LPE成長 について

, 
光学特性

光学特性 について


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