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J-GLOBAL ID：201702220648692229   整理番号：17A1141910

CVD法によりブロック層を形成した縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの特性評価

著者 (12件)： 岩瀧雅幸 (早稲田大 理工) ,  大井信敬 (早稲田大 理工) ,  工藤拓也 (早稲田大 理工) ,  牟田翼 (早稲田大 理工) ,  大久保智 (早稲田大 理工) ,  露崎活人 (早稲田大 理工) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  稲葉優文 (早稲田大 理工) ,  稲葉優文 (名大 未来研) ,  平岩篤 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8a-S22-9  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *縦型 ,  *二次元電子ガス ,  *正孔 ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  *キャラクタリゼーション ,  層 ,  ポテンシャル障壁 ,  半導体素子 ,  窒素 ,  ドーピング ,  トレンチカット【加工】 ,  動特性 ,  *酸化アルミニウム ,  室温 ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流密度 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 2DHG ,  ブロック層 ,  パワーデバイス ,  ALD【蒸着】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD法 ,  縦型 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET ,  特性評価