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J-GLOBAL ID：201702220794614340   整理番号：17A0214166

記録低金属-原子軌道重なり工学を用いた(CVD)グラフェン接触抵抗【Powered by NICT】

Record low metal - (CVD) graphene contact resistance using atomic orbital overlap engineering

著者 (7件)： Meersha Adil (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Variar H. B. (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Bhardwaj K. (Center for Nanoscience & Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Mishra A. (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Raghavan S. (Center for Nanoscience & Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Bhat N. (Center for Nanoscience & Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Shrivastava Mayank (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 5.3.1-5.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,初めて,金属-グラフェン接触を設計するために提案した原子軌道重なりを強化するために,異なる技術,接触領域におけるsp-混成炭素原子の関連性を強調した。CVDとエピタキシャルグラフェン-金属接触のための今日まで報告された最良のと比較して,接触の量子化学の基本的理解は,CVDグラフェンのための記録的な低接触抵抗をもたらした。スケーラビリティを有するグラフェンFETの固有限界に到達する点で接触工学の役割を詳細に示した。最後に,工学的接触の結果として実証した記録的に高いトランジスタ性能。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  トランジスタ ,  *接触抵抗 ,  量子化学
準シソーラス用語： グラフェンFET ,  *原子軌道 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子軌道 ,  重なり ,  工学 ,  CVD ,  グラフェン ,  接触抵抗