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J-GLOBAL ID：201702220967122704   整理番号：17A0403140

N,S二重ドーピングによるグラフェン上での増強されたCO_2捕獲【Powered by NICT】

Enhanced CO₂ capture on graphene via N, S dual-doping

著者 (8件)： Li Jieyuan (College of Architecture and Environment, Sichuan University, PR China) ,  Hou Meiling (College of Architecture and Environment, Sichuan University, PR China) ,  Chen Yanqiu (Institute of New Energy and Low Carbon Technology, Sichuan University, PR China) ,  Cen Wanglai (Institute of New Energy and Low Carbon Technology, Sichuan University, PR China) ,  Cen Wanglai (National Engineering Research Center for Flue Gas Desulfurization, PR China) ,  Chu Yinghao (College of Architecture and Environment, Sichuan University, PR China) ,  Chu Yinghao (National Engineering Research Center for Flue Gas Desulfurization, PR China) ,  Yin Shi (College of Architecture and Environment, Sichuan University, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 399  ページ： 420-425  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N,Sをドープしたグラフェン系材料は最近CO_2捕捉のための有望な吸着剤として認識されているが,原子レベルでの吸着機構の理解はまだ限られている。,N,SをドープしたグラフェンによるCO_2捕獲の局所構造と促進機構を密度汎関数理論とab initio熱力学を組み合わせて調べた。N,S二重ドーピングを含む単一空格子点欠陥グラフェンは温和な条件下(<100°C, 1atm)下でCO_2捕捉のための優れた吸着剤であることが分かった。増強CO_2吸着性能はS→N→CO_2経路に沿った電荷輸送チャンネルに起因し,グラフェンCO_2から過剰電荷移動をもたらすべきである。過剰電荷移動はピリジンNのユニークな.~2ハイブリダイゼーションにより促進され,さらにN,S二重ドープグラフェンにおけるSにより促進されたことを言及する価値がある。N,S二重ドープグラフェン,新しいグラフェンベース吸着剤の設計のための洞察を提供するによるCO_2の高い吸着性能を説明するために提案された可能性のある機構。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分子ハイブリダイゼーション ,  熱力学 ,  *捕獲 ,  点欠陥 ,  *ドーピング ,  電荷移動 ,  吸着 ,  吸着剤 ,  密度汎関数法 ,  *グラフェン ,  窒素複素環化合物
準シソーラス用語： 吸着特性 ,  電荷輸送 ,  局所構造 ,  吸着機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DFT ,  グラフェン ,  CO_2捕獲 ,  N S二重ドーピング ,  電荷輸送チャネル

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： ピリジン

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーピング ,  グラフェン ,  増強 ,  捕獲