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J-GLOBAL ID：201702221071036789   整理番号：17A0414624

EV/HEVsのためのGaNH EMT及びSi MOSFET電力変換器のコモンモード電磁干渉特性に関する事例研究【Powered by NICT】

A Case Study on Common Mode Electromagnetic Interference Characteristics of GaN HEMT and Si MOSFET Power Converters for EV/HEVs

著者 (4件)： Han Di (Department of Electrical and Computer Engineering, Wisconsin Electric Machines and Power Electronics Consortium, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, USA) ,  Morris Casey T. (Department of Electrical and Computer Engineering, Wisconsin Electric Machines and Power Electronics Consortium, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, USA) ,  Lee Woongkul (Department of Electrical and Computer Engineering, Wisconsin Electric Machines and Power Electronics Consortium, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, USA) ,  Sarlioglu Bulent (Department of Electrical and Computer Engineering, Wisconsin Electric Machines and Power Electronics Consortium, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, USA)
資料名： IEEE Transactions on Transportation Electrification  (IEEE Transactions on Transportation Electrification)
巻： 3  号： 1  ページ： 168-179  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2449A  ISSN： 2332-7782  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広バンドギャップ半導体,窒化ガリウム(GaN)ベースのパワーデバイスなどは,それらの低いオン状態抵抗と高速スイッチング能力のために自動車産業においてますます一般的になってきた。これらのデバイスは,自動車応用のためのパワーエレクトロニクス変換器におけるシリコン(Si)デバイスの変更が求められている。GaNデバイスは,各スイッチング事象中のより少ないエネルギーを消費し,このようにして,GaNコンバータ設計者はスイッチング損失を増加させることなくスイッチング周波数を増加させ,Si変換器と比較して有意にできる。しかし,関心事の一つは,増加したスイッチング速度に起因して,GaNデバイスの高いdv/dtは電力変換器の電磁干渉(EMI)放出を悪化させる可能性がある,車両に対応する規制を失敗する可能性があることである。これらの影響を理解するために,本論文では,同期ブーストモードで動作するGaNベースハーフブリッジ構成のスイッチング特性とコモンモード(CM)雑音発生に関する実験的事例研究を提示する。スイッチング電圧波形,漏れ電流,及びCM雑音スペクトルの観点から選択したGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)とSi MOSFETの間行った包括的比較。GaNH EMTとノーマリーオフ型Si MOSFETのゲート抵抗を増加させるパラメータにより,変換器効率とCM騒音発生の間のトレードオフも定量化した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *事例研究 ,  バンドギャップ ,  漏れ電流 ,  スイッチング損失 ,  *電磁干渉 ,  高速度 ,  パワーエレクトロニクス ,  窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  HEMT ,  *ケイ素 ,  スイッチング
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  パワーデバイス ,  *コモンモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 移動通信  (ND08030H) ,  信号理論  (ND02020G) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： EV ,  EMT ,  Si ,  MOSFET ,  電力変換器 ,  コモンモード ,  電磁干渉 ,  研究