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J-GLOBAL ID：201702221203540545   整理番号：17A0825223

市販MOSFET SEE認定における応答変動性【Powered by NICT】

Response Variability in Commercial MOSFET SEE Qualification

著者 (11件)： George J. S. (The Aerospace Corporation, El Segundo, CA, USA) ,  Clymer D. A. (Lockheed Martin Corporation, Littleton, CO, USA) ,  Turflinger T. L. (The Aerospace Corporation, El Segundo, CA, USA) ,  Mason L. W. (Lockheed Martin Corporation, Littleton, CO, USA) ,  Stone S. (Lockheed Martin Corporation, Littleton, CO, USA) ,  Koga R. (The Aerospace Corporation, El Segundo, CA, USA) ,  Beach E. (Lockheed Martin Corporation, Littleton, CO, USA) ,  Huntington K. (Lockheed Martin Corporation, Littleton, CO, USA) ,  Lauenstein J.-M. (NASA GSFC, Greenbelt, MD, USA) ,  Titus J. (NAVSEA Crane, Crane, IN, USA) ,  Sivertz M. (NASA Space Radiation Laboratory, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 317-324  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代,市販トレンチMOSFETの五種類の部品型のシングルイベント効果(SEE)評価は,部品タイプ当たり>50試料を曝露された重イオンに対する試験キャンペーン後のドレイン-ソース電圧(V_DS)のための安全動作領域(SOA)を決定する上で大きな成形品ごとの変動を示した。これらの結果は,小さなサンプルサイズを用いたSOAの定量は成形品ごとの変動の全範囲を捉えることに失敗する可能性を示唆した。試験試料の数に基づいて片側統計許容限界を用いた安全動作領域を確立するために検討した例法。バーンインは部分的応答成形品ごとの変動を低減する重要な因子であることを示した。放射線資格要件との関係も調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放射線 ,  重イオン ,  *MOSFET ,  電圧 ,  許容限界 ,  バーンイン ,  安全動作領域 ,  トレンチ
準シソーラス用語： SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSFET ,  SEE ,  認定 ,  応答 ,  変動性