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J-GLOBAL ID:201702221257149010   整理番号:17A0392013

バンド幅広帯域低温増幅器の設計技術【JST・京大機械翻訳】

Design Technology of Broadband Cryogenic Amplifier in VHF/UHF Band
著者 (4件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 66-70  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2385A  ISSN: 1005-6122  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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HEMTデバイスの低温特性と低温低雑音増幅器の応用特性を分析することによって、回路の安定性に対するデバイスの選択、回路トポロジー構造の影響、および安定性設計の回路整合設計に対する重要性を重点的に述べた。広帯域低温LNAの設計法を提案した。設計事例に基づいて,回路の安定性を改善し,定在波と雑音マッチングのための設計法を提供し,低温LNAの試験結果(相対帯域幅≧90%,雑音係数≦0.3DB@77K,反射損失≦18DB)と応用効果を示した。本文の技術は有効に設計と開発を指導することができ、大きな参考意義がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (2件):
分類
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増幅回路  ,  移動通信 
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