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J-GLOBAL ID：201702221271878278   整理番号：17A0759453

InAlNにおけるガリウムの取込室設計と歴史,成長圧力の効果の役割【Powered by NICT】

Gallium incorporation in InAlN: role of the chamber design and history, and the effects of growth pressure

著者 (9件)： Ben Ammar H. (Centre de Recherche sur les Ions, les Materiaux et la Photonique UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France) ,  Minj A. (Centre de Recherche sur les Ions, les Materiaux et la Photonique UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France) ,  Gamarra P. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, Campus Polytechnique, 91767 Palaiseau, France) ,  Lacam C. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, Campus Polytechnique, 91767 Palaiseau, France) ,  Tordjman M. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, Campus Polytechnique, 91767 Palaiseau, France) ,  di Forte-Poisson M. A. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, Campus Polytechnique, 91767 Palaiseau, France) ,  Morales M. (Centre de Recherche sur les Ions, les Materiaux et la Photonique UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France) ,  Chauvat M. P. (Centre de Recherche sur les Ions, les Materiaux et la Photonique UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France) ,  Ruterana P. (Centre de Recherche sur les Ions, les Materiaux et la Photonique UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600441  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二つの反応器を用いた有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させたInAlN層中のガリウムの非意図的な取り込みを調べた。原子間力顕微鏡(A FM)および電子分散X線分光法(EDS)は,表面形態とInAl(Ga)N/GaN構造の原子組成を特性化した。水平チャンバーは系統的純三元層を産生したが,緊密結合シャワーヘッド垂直チャンバーは四元合金につながる可能性がある。後者のエピ層中のガリウムの量を1%にした。量ガリウムを低減する代替法を示した:典型的に約80Torr中間成長圧力の使用は,ガリウムの包含を低下する6%であった。このような量のGaの存在下では,成長過程は修正されると思われる,それらの取り込みのためのInとGaの間の競合が,Al組成を系統的に減少させた。層の厚さが増加すると,層の形態も影響を受け,可能な三次元成長モードに対する大きなと閉じた溝の形成を伴うことが観察された。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 成長段階 ,  *ガリウム ,  原子間力顕微鏡 ,  *インジウム ,  窒化ガリウム ,  X線分光法 ,  *アルミニウム ,  キャラクタリゼーション ,  反応器 ,  MOCVD
準シソーラス用語： 成長モード ,  四元合金 ,  シャワーヘッド ,  チャンバ ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 原子間力顕微鏡観察 ,  電子分散型X線分光法 ,  GaN ,  heterostructures ,  InAlGaN ,  有機金属気相エピタクシー

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAlN ,  ガリウム ,  取込 ,  設計 ,  歴史 ,  成長 ,  役割