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J-GLOBAL ID：201702221374526051   整理番号：17A0057905

高k誘電体La_2O_3不動態化を用いたAlGaN/GaNH EMTの絶縁破壊電圧の改善【Powered by NICT】

The improvement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMT by using high-k dielectric La₂O₃ passivation

著者 (5件)： Mi MinHan (Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Meng (Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  He YunLong (Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Ma XiaoHua (Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 113-115  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30nmのA LD La_2O_3不動態化を用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタを作製した。不動態化H EMTと比較して,La_2O_3不動態化H EMTの絶縁破壊電圧Vbrは115Vから134Vに改善できる二次元シミュレーションを採用して現象を説明した。La_2O_3不動態化H EMTにおけるVbr増強の理由であるドレイン側壁を持つLa_2O_3誘電体の高誘電率e_rに起因し,AlGaN/GaNH EMTは電場分布を調整できる金属-絶縁体-半導体(MIS)構造を形成することができる。結果に基づいて,高K誘電体不動態化の導入は,破壊電圧を向上させ,同時にプロセス段階を単純化することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 簡素化 ,  二次元 ,  シミュレーション ,  絶縁材料 ,  HEMT ,  *誘電体 ,  *不動態化 ,  半導体 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電界分布 ,  高誘電率 ,  *AlGaN/GaN ,  *絶縁破壊電圧 ,  *高k誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高k誘電体 ,  不動態化 ,  AlGaN ,  EMT ,  絶縁破壊電圧