MOVPE成長させたガリウムPhosphide-ケイ素ヘテロ接合太陽電池【Powered by NICT】

Feifel Markus; Ohlmann Jens; Benick Jan; Rachow Thomas; Janz Stefan; Hermle Martin; Dimroth Frank; Belz Jurgen; Beyer Andreas; Volz Kerstin; Lackner David

文献

J-GLOBAL ID：201702221677033644 整理番号：17A0274502

MOVPE成長させたガリウムPhosphide-ケイ素ヘテロ接合太陽電池【Powered by NICT】

MOVPE Grown Gallium Phosphide-Silicon Heterojunction Solar Cells

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Feifel Markus

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資料名：

IEEE Journal of Photovoltaics (IEEE Journal of Photovoltaics)

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巻： 7 号： 2 ページ： 502-507 発行年： 2017年
JST資料番号： W2305A ISSN： 2156-3381 CODEN： IJPEG8 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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りん化ガリウム(GaP)は,理論的に,その電子的および結晶特性のためにシリコン太陽電池用の理想に近いヘテロエミッタ。本論文では,金属-有機気相エピタクシー(MOVPE)による直接成長により作製したp型シリコンヘテロ接合太陽電池上のn型りん化ガリウムを提示した。素子は量子効率と電流密度の非常に有望な結果を示した。しかし,560mVの開回路電圧は理想的ではない。二つの異なる核形成過程の研究は開回路電圧に及ぼすGaP/Si界面での逆位相領域密度の顕著な影響を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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太陽電池

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