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J-GLOBAL ID：201702221781255190   整理番号：17A0452543

n型結晶シリコン(111)ウエハ上の直接電気化学的ナノインプリントリソグラフィー【Powered by NICT】

Electrochemical nanoimprint lithography directly on n-type crystalline silicon (111) wafer

著者 (24件)： Zhang Lin (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Lin (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Lin (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Jie (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Jie (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Jie (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Yuan Ding (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Yuan Ding (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Yuan Ding (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Han Lianhuan (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Han Lianhuan (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Han Lianhuan (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhou Jian-Zhang (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhou Jian-Zhang (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhou Jian-Zhang (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Tian Zhao-Wu (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Tian Zhao-Wu (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Tian Zhao-Wu (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Tian Zhong-Qun (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Tian Zhong-Qun (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Tian Zhong-Qun (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhan Dongping (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhan Dongping (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChem), Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhan Dongping (Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 75  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Si/electrolyte三相界面での自発的なレドックス反応を報告し,熱可塑性および光硬化レジストを必要としない結晶Siウエハ上にナノインプリントリソグラフィーのための電気化学的方法を提案した。Pt金属インプリントモールドをn型Si(111)ウエハ上に圧縮すると,電子は,それらの異なる電子仕事関数のためにPtとn型Siからであろう。平衡では,各相中の電子のFermi準位は等しくなる,電場およびPt/Si界面での接触可能性をもたらした。電解質溶液に浸漬すると,Pt/電解質界面とSi/電解質界面の電位が反対方向にシフトすることが観測された。過酸化水素はPt表面上に自然に還元される。一方,Si中の電子がPtにトンネルし,残留正孔が三相界面に沿ったSiを酸化する。このようにして,Pt金属インプリント鋳型上のミクロ/ナノ構造をSiウエハに転写した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 浸漬 ,  *電気化学 ,  光架橋 ,  仕事関数 ,  ケイ素 ,  界面 ,  白金 ,  酸化還元反応 ,  ナノ構造 ,  電解質溶液 ,  過酸化水素 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  三相界面 ,  *ナノインプリントリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気化学的微細加工 ,  電気化学的ナノ加工 ,  金属支援化学エッチング ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  接触帯電

分類 (1件)： 電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶シリコン ,  ウエハ ,  直接電気化学 ,  ナノインプリントリソグラフィー