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J-GLOBAL ID:201702222544311432   整理番号:17A0411808

結晶シリコン太陽電池のための中間周波数マグネトロンスパッタリングによるSiN_x多層膜の作製【Powered by NICT】

Preparation of SiNx multilayer films by mid-frequency magnetron sputtering for crystalline silicon solar cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 59  ページ: 40-44  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究の目的は,中間周波数(MF)マグネトロンスパッタリング法を用いてシリコン結晶太陽電池のための水素化窒化けい素/窒化けい素/オキシ窒化けい素(SiN_x:H/SiN_x/SiO_xN_y)多層膜を設計することである。反射防止と表面不動態化の両方を考慮に入れた。単一SiN_xとSiN_x/SiO_xN_y多層膜を最初に光学的性能評価のための方位が揃ったシリコンウエファー上に堆積した。SiN_x/SiO_xN_y膜は数値最適化後4.03%の反射率の最小値を有する反射防止層として作用した。SiN_x膜中のN組成は増加し,その反射率はN_2の流量の増加につれて減少した。O汚染は,すべてのこれらの被覆を観測した。不動態化層として用いSiN_x:H膜はSiN_x/SiO_xN_y膜システムに関与していた。SiN_x:H/SiN_x/SiO_xN_y多層膜は5.43%の反射率と優れた光学的品質を示した。SiN_x:H/SiN_x/SiO_xN_y膜を用いた太陽電池は575mVの開回路電圧,二酸化けい素(SiO_2)膜(569mV)とSiN_x/SiO_xN_y膜(561mV)を有する電池よりも高い値を示した。SiN_x:H/SiN_x/SiO_xN_y膜を予備的に従来の工業太陽電池に適用し,17.32%の最良の電池効率を達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  固体デバイス材料 
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