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J-GLOBAL ID：201702222593809090   整理番号：17A0343874

分子ビームエピタクシーによるInAsSbベース材料の高格子整合成長【Powered by NICT】

High Lattice Match Growth of InAsSb Based Materials by Molecular Beam Epitaxy

著者 (7件)： Ren Yang (Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University) ,  Hao Ruiting (Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University) ,  Liu Sijia (Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University) ,  Guo Jie (Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University) ,  Wang Guowei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Yingqiang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Zhichuan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 128101-1-128101-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb基板上のInAsSbベース材料の高格子整合成長を実証した。本結果は,安定な基板温度と最適フラックス比は生育期間を通して均一なInAsSbベース材料組成を達成するために非常に重要であることを示した。これらエピ層の品質を,高分解能X線回折と原子間力顕微鏡を用いて評価した。GaSb基板とInAsSb合金間の不整合はほぼ零を達成し,InAsSb合金のrms表面粗さは28μm×28μmの面積にわたって約1.7Aを達成した。同時に,GaSbとInAs/Inとして(0.73)Sb(0.27)超格子(SL)の間のミスマッチは約100arcsec(75時間)および零(300期間)を達成し,20μm×20μmの面積にわたって1.8A(75)および2.1A(300周期)周辺のInAs/InAs(0.73)Sb(0.27)超格子の表面rms粗さであった。デバイスの作製と特性評価後,零バイアス近傍n障壁n InAsSb光検出器の動的抵抗は10~6Ωcm~2のオーダーであった。77Kでは,PIN光検出器は,InAsSbとInAs/InAsSb SL(75周期)材料で示され,3.8μmと5.1μmの五十%カットオフ波長を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  基板温度 ,  光検出器 ,  *MBE成長 ,  超格子 ,  波長 ,  原子間力顕微鏡 ,  *格子整合 ,  キャラクタリゼーション ,  不整合 ,  アンチモン化ガリウム ,  バイアス
準シソーラス用語： カットオフ ,  高分解能X線回折 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  InAsSb ,  ベース材料 ,  格子整合 ,  成長