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J-GLOBAL ID：201702222654695472   整理番号：17A0173891

P型とN型ダイヤモンド薄膜の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research Status of P-and N-Types Diamond Thin Films

著者 (3件)： Gong Chunsheng (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University) ,  Li Shangsheng (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University) ,  Zhang He (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 30  号： 5A  ページ： 36-40  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ダイヤモンド薄膜は高い熱伝導率,高い誘電体絶縁性,高いキャリア移動度,広いバンドギャップなどの利点があり,非常に理想的な機能材料である。ドーピングはダイヤモンド薄膜の独特な電気的および熱的性質を持ち,半導体分野で広い応用前景を持ち,近年国内外の研究の焦点の一つとなっている。ダイヤモンド薄膜のP型ドーピングとNドーピングの研究状況を総括し、ダイヤモンド薄膜のN型ドーピング研究に存在する問題について分析と探索を行い、N型ダイヤモンドの将来性について展望した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱伝導率 ,  機能材料 ,  *ダイヤモンド ,  誘電体 ,  熱特性 ,  キャリア移動度 ,  半導体 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ダイヤモンド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： diamond thin films ,  P-type ,  N-type

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド薄膜 ,  研究 ,  進展