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J-GLOBAL ID：201702222667279148   整理番号：17A0381542

ナノメートル分解能と表面の均一性とナノスケール構造の作製【Powered by NICT】

Fabrication of nanoscale structures with nanometer resolution and surface uniformity

著者 (5件)： Niroui Farnaz (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, USA) ,  Saravanapavanantham Mayuran (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, USA) ,  Swager Timothy M. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, USA) ,  Lang Jeffrey H. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, USA) ,  Bulovic Vladimir (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 659-662  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータ分解能とサブナノメータ表面均一性を有する構造物の製造のためのプラットフォームを開発するために,機能的ナノスケール素子とシステムの構築ブロックとして機能するボトムアップとトップダウン法を統合した。エンジニアリング表面及び界面により,<1nmの表面粗さを,化学合成金(Au)ナノプレートは,幅が約10nm程度のナノギャップを形成するために集合した。相互接続と接触パッドを組み立てナノギャップに電気的機能性を導入するためにトップダウンリソグラフィーを使用して追加する。採用した合成されたAuナノプレートに固有の厚さ不均一性に起因するギャップを横切るナノメートルスケール高さ変動を除去することである平坦化技術。これは接着受光面を用いて,元の基板から均一な層としてAuナノプレート電極を剥離,基板と接触しているもともとコプレーナ側を明らかにすることにより達成した。剥離も端部欠陥を除去し,リソグラフィーにより形成された特徴に固有の表面粗さを最小化する。この技術の拡張は,隣接する構造の間の高さの変動を制御する<5nmの垂直分解能を実証した。全体として,提案した技術は,ナノ電気機械システム,プラズモニクス,および分子エレクトロニクスのような応用のためのナノデバイスの開発に不可欠であるナノメータ分解能と表面均一性を達成するための多用途のプラットフォームを提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *分解能 ,  金 ,  相互接続 ,  リソグラフィー ,  不均一性 ,  界面
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  分子エレクトロニクス ,  プラズモニクス ,  平坦化 ,  ナノプレート ,  ナノギャップ ,  トップダウン ,  ナノメータ ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分解能 ,  均一性 ,  ナノスケール ,  作製