IoT応用のためのサブ100μAの自己リフレッシュ電流23.3A4.8ピン2Gb LPDDR4SDRAM【Powered by NICT】

Kwak Nohhyup; Kim Saeng-Hwan; Lee Kyong Ha; Baek Chang-Ki; Jang Mun Seon; Joo Yongsuk; Lee Seung-Hun; Lee Woo Young; Lee Eunryeong; Han Donghee; Kang Jaeyeol; Lim Jung Ho; Park Jae-Beom; Kim Kyung-Tae; Cho Sunki; Han Sung Woo; Keh Jee Yeon; Chun Jun Hyun; Oh Jonghoon; Lee Seok Hee

文献

J-GLOBAL ID：201702222754478535 整理番号：17A0417621

IoT応用のためのサブ100μAの自己リフレッシュ電流23.3A4.8ピン2Gb LPDDR4SDRAM【Powered by NICT】

23.3 A 4.8Gb/s/pin 2Gb LPDDR4 SDRAM with sub-100μA self-refresh current for IoT applications

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資料名：
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 392-393 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

もの(IoT)のインターネットは,より多くのデータがより速い応答が,低電力消費をもつデバイスにより収集され,処理されることが必要である。これらの前例のない要求を達成するために,待機時と小型フットプリントにおける低周波運転中の低電力散逸を伴う高速DRAMが必要である。添加では,いくつかの応用に期待される:輸送と医療など高度の信頼性。一つの有望な溶液,オンチップ誤り訂正符号(ECC)は,記憶企業間牽引[1]を得ている,初めて[2]のLPDDR4標準が必要である。本論文では,従来のLPDDR4より75%少ないリフレッシュ電流を消費する2GB LPDDR4を提示した。提案LPDDR4,ECCは低周波動作時の緩衝液を節約するためにリフレッシュ電流,待機電力を低減するために周期的に活性化された電圧調整器,および二重CAバッファの削減のために利用した。添加では,システムインパッケージ(SiP)を用いた小形状因子デバイスに必須である-オンチップECCによるDRAMの細胞スクリーン,良品ダイ(KGD)のための高速ウエハ試験のための回路設計を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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計算機網 , 通信網

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