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J-GLOBAL ID：201702222806473333   整理番号：17A0204240

二重離散幾何学的方法によるプロセス変動に対するIC相互接続寄生容量の感度の計算【Powered by NICT】

Computation of sensitivities of IC interconnect parasitic capacitances to the process variation with dual discrete geometric methods

著者 (5件)： Gao Zhan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ren Dan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yan Shuai (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Xiaoyu (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ren Zhuoxiang (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 8  ページ： 085003-1-085003-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 感度解析法は集積回路の寄生容量の抽出におけるプロセス変動の課題を扱うのに役立つ。最近寄生容量を抽出するために利用された二重離散幾何学的方法(DGMs)をレビューした。与えられたプロセスパラメータに関する静電容量の感度のための二重DGMsに基づく計算方法を提示した。二重DGMs利用スカラ電位は不明であるので,静電容量は効果的に求め,次いで感度を計算した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 感度解析 ,  スカラー ,  集積回路 ,  電位 ,  *相互接続 ,  プロセスパラメータ ,  *漂遊容量 ,  静電容量
準シソーラス用語： *プロセス変動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 静電容量抽出 ,  二重離散幾何学的方法(DGMs) ,  プロセス変動 ,  感度解析

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 離散幾何学 ,  プロセス変動 ,  IC ,  相互接続 ,  寄生容量 ,  感度 ,  計算