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J-GLOBAL ID：201702222901126966   整理番号：17A0755632

スペーサパターン形成技術と金属支援化学エッチングを用いた垂直シリコンナノチューブアレイの作製【Powered by NICT】

Fabrication of Vertical Silicon Nanotube Array Using Spacer Patterning Technique and Metal-Assisted Chemical Etching

著者 (5件)： Jeong Hyeonho (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Lee Junghyung (Research and Development Division, SK Hynix, Icheon, South Korea) ,  Bok Cheolkyu (Research and Development Division, SK Hynix, Icheon, South Korea) ,  Lee Seok-Hee (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Yoo Seunghyup (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 1  ページ： 130-134  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ60nm壁厚さ,種々のデバイスのための潜在的利点を持つ可能性が高密度,垂直シリコンナノチューブ(SiNT)を作製するための金属支援化学エッチングとスペーサパターン形成技術を組み合わせたプロセスを提案した。さらに,混合溶液比によって制御されたエッチング速度の影響理想的モルフォロジーをもつSiNTを得ることを検討した。作製した高アスペクト比SiNTは良好な構造安定性を示し,束自由アレイ,光反射のナノ構造をベースにした抑制のための理想的に導いた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *スペーサ ,  混合液体 ,  *パターン形成 ,  光反射 ,  *ウェットエッチング ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 構造安定性 ,  高アスペクト比 ,  エッチング速度 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： スペーサ ,  パターン形成 ,  金属支援化学エッチング ,  垂直 ,  シリコン ,  ナノチューブアレイ ,  作製