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J-GLOBAL ID：201702222938255105   整理番号：17A0551486

MgO(001)上のCoFeSi薄膜におけるポストアニール誘起磁気異方性

Post annealing induced magnetic anisotropy in CoFeSi thin films on MgO(0 0 1)

著者 (8件)： GUO X B (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  ZUO Y L (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  CUI B S (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  LI D (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  YUN J J (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  WU K (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  WANG T (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  XI L (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 8  ページ： 085006,1-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO(001)基板にマグネトロンスパッタリングによって蒸着したCo₆₁Fe₂₆Si₁₃(CoFeSi)薄膜に対して,異なる温度(T_a)でアニールし,結晶構造と磁気的性質の変化を調べた。X線回折,XPS,磁化測定,ベクトルネットワークアナライザーを用いた強磁性共鳴測定を行った。蒸着したままの薄膜はアモルファスであったがT_a上昇とともに立方晶の割合が増えていった。静的及び動的磁性もアニールにより変化した。600°CでアニールしたCoFeSi膜は,面内一軸磁気異方性(UMA)を示し,約3.4GHzの強磁性共鳴周波数と約0.011の低い実効減衰定数を示した。T_a=800°Cでの場合,立方晶磁気結晶異方性が優勢になった。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *磁性薄膜 ,  焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  薄膜成長 ,  温度依存性 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  磁化 ,  強磁性共鳴 ,  *一軸磁気異方性 ,  磁気ヒステリシス ,  非晶質 ,  *コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ケイ素含有合金
準シソーラス用語： ポストアニール処理 ,  ポストアニーリング ,  XPS ,  XRD ,  FMR【磁気共鳴】

分類 (1件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (4件)： MgO ,  ポストアニール ,  誘起 ,  磁気異方性