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J-GLOBAL ID：201702222958307548   整理番号：17A0206106

エッジ欠陥へのフォスフォレンナノリボンの電子特性と輸送特性の免疫【Powered by NICT】

Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects

著者 (2件)： Poljak Mirko (Micro and Nano Electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb) ,  Suligoj Tomislav (Micro and Nano Electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 6  ページ： 1723-1734  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厳密な原子論的量子輸送シミュレーションを用いて端部欠陥を有するフォスフォレンナノリボン(PNR)の電子的性質とキャリア輸送の広範な研究を提示した。輸送ギャップを支配するサイズ欠陥依存スケーリング則,および将来のナノエレクトロニクス応用に興味のPNR中の平均自由行程とキャリア移動度について報告した。著者らの結果は,アームチェア端(aPNRs)とPNRはジグザグPNR(zPNRs)よりも欠陥に対して免疫性が大きいことを示し,一方両PNRタイプは,グラフェンナノリボン(GNR)と比較して欠陥に対して優れた耐性を示した。平均自由経路の研究は,低欠陥密度の場合におけるPNRsの輸送は拡散と,キャリア移動度は超小型PNRでも意味のある輸送パラメータであることを示した。電子-正孔移動度非対称性(大面積ホスホレンに存在)はW>4nmのzPNRsだけで保持されていることを見出したが,他の場合には非対称性がエッジ欠陥散乱によって平滑化された。aPNRsはキャリア移動度の観点からzPNRsとGNRの両方よりも優れていることを,PNRは一般的に優れた移動度バンドギャップトレードオフを提供することを示し,GNRと単分子層MoS_2に関係する。本研究は,将来のポストシリコン電子技術における非常にスケーリングされたトランジスタチャネルのための有望な材料としてPNRを同定し,ナノ構造ホスホレンに関する実験的研究のための説得力のある議論を提示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  平均自由行程 ,  *移動度 ,  欠陥密度 ,  キャリア移動度 ,  単分子層 ,  スケール則 ,  電子技術 ,  非対称性 ,  正孔
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  グラフェンナノリボン ,  ナノエレクトロニクス ,  キャリア輸送 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： フォスフォレンナノリボン ,  原子論的量子輸送シミュレーション ,  エッジ欠陥 ,  輸送ギャップ ,  平均自由行路 ,  電子と正孔の移動度

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： エッジ ,  欠陥 ,  電子 ,  輸送特性 ,  免疫