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J-GLOBAL ID：201702223018728700   整理番号：17A0365834

構造,Mnをドープした0.938(Bi_0 5Na_0)TiO_3O.062BaTiO_3薄膜の強誘電及び誘電特性【Powered by NICT】

Structure, ferroelectric and dielectric characterization of Mn-doped 0.938(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-0.062BaTiO₃ thin film

著者 (7件)： Wang Zhijian (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Wang Junyuan (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Du Wenhua (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Zhang Jiping (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Zeng Zhiqiang (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Wang Rijun (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Zhao Zhifang (Intelligent Manufacturing Laboratory, School of Mechanical and Power Engineering, North University of China, Taiyuan, Shanxi 030051, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 15  ページ： 17839-17842  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた性能を持つ鉛フリー強誘電体薄膜は環境に優しい微小電気機械システム(MEMS)デバイスが望まれている。本研究では強化された強誘電特性を持つ,0.938(Bi_0 5Na_0)TiO_3,0~0.062BaTiO_3 10-2.5%Mn(BNBTM)薄膜をパルスレーザ蒸着によりSrTiO_3(STO)単結晶基板上に堆積した。(La_0 6Sr_0,4)CoO_3(LSCO)はBNBTMとSTOとの優れた電気伝導率と良好な格子整合のために両電極とバッファ層として選択した。XRDパターンは,LSCOとBNBTM両方を示した純粋なペロブスカイト構造と(100)配向を示した。飽和ヒステリシスループは9.1kV/mmの22μC/cm~2と平均抗電場E Cの残留分極P_Rが得られた。優れた強誘電特性は,環境に優しいMEMSデバイスのための有望な候補となる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バッファ層 ,  MEMS ,  抗電場 ,  電気伝導率 ,  *誘電性 ,  強誘電性 ,  *マンガン ,  残留分極 ,  格子整合 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *ドーピング ,  強誘電体
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  LSCO ,  強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 無鉛 ,  薄膜 ,  強誘電体 ,  MEMS

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mn ,  ドープ ,  薄膜 ,  誘電特性