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J-GLOBAL ID:201702223283806688   整理番号:17A0575029

無極性InGaN/GaNコア-シェル構造単一ナノワイヤレーザ

Nonpolar InGaN/GaN Core-Shell Single Nanowire Lasers
著者 (13件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 1049-1055  発行年: 2017年02月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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無極性のp-i-n型InGaN/GaN多重量子井戸コア-シェル構造単一ナノワイヤレーザの室温光ポンピングによるレーザ発振を報告した。トップダウン二段階エッチングプロセスに続くボトムアップ再成長により正確な構造制御,高い材料収率および光閉込めを可能にし,ナノワイヤレーザを作製した。コア-シェル構造ナノワイヤレーザモーダルゲインスペクトルおよびゲイン曲線をミクロ光ルミネセンスを用いて測定し,Hakki-Paoli法を用いて解析した。高い光学利得により,顕著に短いキャビティ長および小さい活性領域体積にも拘わらず,従来報告されている準極性InGaN/GaNコア-シェル構造ナノワイヤに比べて顕著に低いレーザ発振閾値が観測された。モードシミュレーションから,コア-シェル構造によって円環形状のモードが固体横モードよりも高い光閉込めを示した。その結果,従来次世代発光ダイオードとしてとして検討されて来た,このp-i-n無極性コア-シェル構造ナノワイヤが低閾値コヒーレント紫外可視ナノスケール発光体として有用であり,モノリシックおよび集積可能で室温動作による電子注入単一ナノワイヤレーザへの道を開く。
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体レーザ  ,  半導体薄膜  ,  固-固界面 

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