Zhou H.P. について
School of Energy Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, 2006 Xiyuan Ave., West High-Tech Zone, Chengdu, Sichuan, 611731, China について
Zhou H.P. について
Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore について
Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore について
Key Laboratory of Information Materials of Sichuan Province & School of Electrical and Information Engineering, Southwest University for Nationalities, Chengdu, 610041, China について
Xu L.X. について
Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore について
Wei D.Y. について
Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore について
Xiang Y. について
School of Energy Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, 2006 Xiyuan Ave., West High-Tech Zone, Chengdu, Sichuan, 611731, China について
Xiao S.Q. について
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, 214122, China について
Applied Surface Science について
結晶度 について
アモルファスシリコン について
ヘテロ接合 について
ケイ素 について
プラズマ について
イオン衝突 について
電気抵抗率 について
太陽電池 について
不動態化 について
誘導結合プラズマ について
材料特性 について
プラズマ特性 について
表面不動態化 について
a-Si:H について
プラズマ応用 について
半導体のルミネセンス について
酸化物薄膜 について
半導体薄膜 について
Si について
アンテナ について
調節 について
ラジカル について
イオン について
表面不動態化 について
誘導結合プラズマ について
ICP について
蒸着 について