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J-GLOBAL ID:201702223324723751   整理番号:17A0664503

触媒の存在下での化学蒸着によるSiCナノネックレースの合成【Powered by NICT】

Synthesis of SiC nanonecklaces via chemical vapor deposition in the presence of a catalyst
著者 (4件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 952-957  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2462A  ISSN: 1466-8033  CODEN: CRECF4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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SiC・ネックレスは,触媒としてフェロセンを用いた化学蒸着による調製したままのSi-SiCセラミック基板上に大規模に合成した。構造,形態及び元素分析は3C-SiCの合成したままのネックレスは直径200 400nmの長さ百μm,直径0.3 1μmのSiO_2ビーズまで生じることを示した。実験的および理論的特性評価に基づいて,蒸気-液体-固体幹と変調ビーズの成長機構の組み合わせは,SiCネックレスの成長モードとして提案した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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半導体の結晶成長  ,  その他の無機化合物の結晶成長  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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