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J-GLOBAL ID：201702223328342423   整理番号：17A0164336

室温で成長させたAZO/AL_2O_3積層薄膜トランジスタの性能を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Properties of AZO/Al_2O_3 Stacked Thin Film Transistors Prepared at Room Temperature
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著者 (15件)：
Ning Honglong

Ning Honglong について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Zeng Yong

Zeng Yong について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Yao Rihui

Yao Rihui について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Liu Xianzhe

Liu Xianzhe について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

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Tao Ruiqiang

Tao Ruiqiang について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Zheng Zeke

Zheng Zeke について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Fang Zhiqiang

Fang Zhiqiang について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

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Hu Shiben

Hu Shiben について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Chen Jianqiu

Chen Jianqiu について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Cai Wei

Cai Wei について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Xu Miao

Xu Miao について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

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Lan Linfeng

Lan Linfeng について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology について

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Wang Lei

Wang Lei について

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Peng Junbiao

Peng Junbiao について

(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Department of Materials Science and Engineering School,South China University of Technology)

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Li Zhengcao

Li Zhengcao について

(State Key Laboratory of New Ceramic and Fine Processing,Department of Materials Science and Engineering School,Tsinghua University)

State Key Laboratory of New Ceramic and Fine Processing,Department of Materials Science and Engineering School,Tsinghua University について


資料名：
Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)

Faguang Xuebao について


巻： 37  号： 11  ページ： 1372-1377  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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現在の多くの酸化物薄膜トランジスタに対して、熱アニーリング技術を採用して、その性能を向上させることは、フレキシブルディスプレイに応用することができないという問題を解決するため、室温で作製した新型TFTデバイスを提案し、アニーリング処理なしで良好なデバイス性能が得られる。パルスレーザ蒸着技術によって調製したAZO/AL_2O_3積層構造をチャネルとして用いた。単層AZO-TFTデバイスと比較して,直列TFTデバイスは,より優れた性能を持ち,その移動度は2.27CM2V(-1)S(-1)であり,スイッチング比は1.43×106であった。AZO/AL/AL_2O_3積層薄膜の厚さ、密度、粗さ、相、界面特性及びバンド構造などを分析することにより、この積層構造は電子の運動がAZO薄膜の平面内に制限され、二次元電子転送が形成され、TFTデバイスの性能を向上させることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*薄膜

薄膜 について

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焼なまし

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単一層

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パルスレーザ蒸着

パルスレーザ蒸着 について

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移動度

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バンド構造

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積層構造

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*薄膜トランジスタ

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スイッチング

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二次元

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チャネル

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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界面特性

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フレキシブルディスプレイ

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熱アニーリング

熱アニーリング について

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*積層

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著者キーワード (3件)：
stacked thin film transistor

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room temperature process

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two-dimensional electron transport

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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室温

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成長

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Azo

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薄膜トランジスタ

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研究

研究 について


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