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J-GLOBAL ID：201702223409210813   整理番号：17A0766836

紫外レーザリフトオフ技術を用いたGaN/サファイア界面の衝撃支援表在性六方晶-立方晶相転移【Powered by NICT】

Shock-Assisted Superficial Hexagonal-to-Cubic Phase Transition in GaN/Sapphire Interface Induced by Using Ultra-violet Laser Lift-Off Techniques

著者 (11件)： CHEN Wei-Hua (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  HU Xiao-Dong (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  SHAN Xu-Dong (Electron Microscopy Laboratory, School of Physics, Peking University) ,  KANG Xiang-Ning (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  ZHOU Xu-Rong (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  ZHANG Xiao-Min (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  YU Tong-Jun (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  YANG Zhi-Jian (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  YOU Li-Ping (Electron Microscopy Laboratory, School of Physics, Peking University) ,  XU Ke (Department of Physics, School of Physics, Peking University) ,  ZHANG Guo-Yi (Department of Physics, School of Physics, Peking University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 1  ページ： 212-215  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外(KrFエキシマレーザ,波長248nm)レーザリフトオフ(LLO)技術はGaN/サファイア構造にサファイア基板からGaNを分離した。紫外レーザリフトオフ(UV LLO)により誘起された六方晶から立方晶への相変態を,マイクロRaman分光法,光ルミネセンス,高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)により特性化した。HRTEMはUV LLO誘起相転移は,レーザリフトオフ界面上に起こり,LLO界面下での相転移のないことを示した。形成された立方晶GaNはバルク六方晶GaN上に担持されたナノ結晶粒として存在することが多い。半ループクラスタ様UV LLO界面はLLO誘導衝撃波を発生させ,六方晶GaNの分解およびLLO表面で立方晶GaN結晶粒の形成における補助的役割を果たしていることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *サファイア ,  *相転移 ,  *紫外レーザ ,  結晶粒 ,  *界面 ,  キャラクタリゼーション ,  顕微Raman分光法 ,  ナノ結晶 ,  *窒化ガリウム ,  光ルミネセンス ,  *六方晶系 ,  衝撃波
準シソーラス用語： HRTEM ,  サファイア基板 ,  *リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： GaN薄膜 ,  窒化ガリウム ,  高圧 ,  Raman ,  分光法 ,  圧縮 ,  エピタクシー ,  層

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 紫外レーザ ,  リフトオフ ,  GaN ,  サファイア ,  界面 ,  衝撃 ,  支援 ,  六方晶 ,  立方晶 ,  相転移