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J-GLOBAL ID：201702223426477754   整理番号：17A0401080

各種厚さの炭素-鉄複合膜における異常なバイポーラ抵抗スイッチング挙動【Powered by NICT】

Abnormal bipolar resistive switching behavior in carbon-iron composite films with different thicknesses

著者 (11件)： Zhou J.W. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Li T.R. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Zhang D. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Ren B. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Zhang S.W. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Huang J. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Zhang J.M. (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, PR China) ,  Wang L. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China) ,  Jiang Y.C. (Solid State Physics and Materials, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou, 215011, Jiangsu, PR China) ,  Gao J. (Solid State Physics and Materials, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou, 215011, Jiangsu, PR China) ,  Wang L.J. (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 135  ページ： 115-120  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる厚さ(50nm,100nm,150nm)と炭素-鉄複合膜は,複合ターゲット(Fe:4at%,96at%)を用いたDCマグネトロンスパッタリング法により堆積した。異なるa-C:Fe膜厚を有するPt/Al/a C Fe/Au/Ti構造の抵抗スイッチング挙動を調べた。異常なバイポーラ抵抗スイッチング特性はすべてPt/Al/a Cで観察された:Fe/Au/Tiメモリセル。耐久性とリテンション特性を考慮して,誘電体層として厚さ100nmのa-C:FeフィルムとRRAMセルは,オン/オフ抵抗比~10,及び保持時間>10~4sで最良の性能を示した。X線光電子分光深さプロフィルの結果に基づいて,抵抗スイッチング挙動はAl/a C:Fe界面における変化Al~3+分画と二つの電極間のAuイオンのマイグレーションに起因している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  深さプロフィル ,  記憶素子 ,  界面 ,  耐久性 ,  保持時間 ,  膜厚 ,  金 ,  *複合膜 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： ReRAM ,  リテンション ,  スイッチング特性 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  非晶質炭素 ,  炭素鉄複合材料 ,  厚さ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 厚さ ,  炭素 ,  鉄 ,  複合膜 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  挙動