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J-GLOBAL ID：201702223457266898   整理番号：17A0143872

35GHzバンドLTE基地局のための83W,51%GaNH EMT Doherty電力増幅器【Powered by NICT】

A 83-W, 51% GaN HEMT Doherty power amplifier for 3.5-GHz-band LTE base stations

著者 (11件)： Kato Katsuya (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Miwa Shinichi (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Teranishi Eri (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Kosaka Naoki (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Fujii Kazunobu (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Yamabe Shigeo (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Asada Tomoyuki (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Horiguchi Kenichi (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Sasaki Yoshinobu (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Inoue Akira (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan) ,  Katayama Hideaki (Mitsubishi Electric Corporation, Itami, 664-8641, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 572-575  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はGHzバンドLTEマクロセル局のための高出力高効率GaNH EMTドハティ電力増幅器(DPA)を提案した。DPAの効率を高めるために,正規化ピーク増幅器の電力比に基づく新しい入力整合回路設計を提案した。64.6%ドレイン効率,200W GaNH EMTを用いて設計した回路を有する対称DPA。設計はDPAの裏張りとピーク効率の著しい改善を示した。2,3.51GHzで,LTE単一キャリアとディジタル予歪(ADP)システムを用いた13.5dBとACLR 50.6dBcの電力利得で達成される51.7%と49.2dBm(83 W)出力の高ドレイン効率。はGHzバンドLTEマクロセル局のための80W以上のGaNH EMT DPAの初めての実証である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力 ,  *基地局 ,  ディジタル方式 ,  整合器 ,  *電力増幅器 ,  予歪 ,  正規化 ,  対称性 ,  マクロセル ,  *増幅器
準シソーラス用語： パワーゲイン ,  単一搬送波 ,  高効率 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンド ,  LTE ,  基地局 ,  EMT ,  電力増幅器