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J-GLOBAL ID:201702223477303032   整理番号:17A0370148

不安定CsSnI_3から空気中で安定なCs_2SnI_6へ:1.48eVと高吸収係数のバンドギャップを持つ鉛フリーペロブスカイト太陽電池光吸収体【Powered by NICT】

From unstable CsSnI3 to air-stable Cs2SnI6: A lead-free perovskite solar cell light absorber with bandgap of 1.48eV and high absorption coefficient
著者 (11件):
資料名:
巻: 159  ページ: 227-234  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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すべて無機と鉛フリーセシウムすずハロゲン化物(CsSnX_3,X=Cl,Br,I)は有機鉛ハロゲン化物ペロブスカイト太陽電池を代替するが強く望まれている。CsSnX_3ペロブスカイトの不安定性はこれまで通常の条件下での持続した運転に耐えられることをデバイスの作製を妨げてきた。本論文では,二段階逐次蒸着法は,高品質のBγCsSnI_3薄膜を成長させるために開発し,大気中でのそれらのユニークな相変化を詳細に調べた。空気中の空気に安定なCs_2SnI_6に対して不安定BγCsSnI_3からの自発的酸化的変換を見出した。CsSnI_3膜の相変換を許容する環境大気中の進化にはバンドギャップ1.48eVと高い吸収係数(1.7eVから10~5cm以上~ 1)の半導体ペロブスカイトCs_2SnI_6を与えた。より重要なことは,初めて,Cs_2SnI_6膜は無鉛ペロブスカイト太陽電池のための光吸収層として採用し,開回路電圧0.51Vの電力変換効率(PCE)の予備的推定約1%と5.41mA~2の短絡電流はペロブスカイト吸収体厚さを最適化することにより実現した。バンドギャップとShockley-Queisser限界によると,高い効率と顕著な安定性を持つ無機ペロブスカイト太陽電池は材料品質改善とデバイス工学が期待できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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