信頼性のあるスピントルクMRAM製品のための技術【Powered by NICT】

Slaughter J. M.; Nagel K.; Whig R.; Deshpande S.; Aggarwal S.; DeHerrera M.; Janesky J.; Lin M.; Chia H.-J.; Hossain M.; Ikegawa S.; Mancoff F. B.; Shimon G.; Sun J. J.; Tran M.; Andre T.; Alam S. M.; Poh F.; Lee J. H.; Chow Y. T.; Jiang Y.; Liu H. X.; Wang C. C.; Noh S. M.; Tahmasebi T.; Ye S. K.; Shum D.

文献

J-GLOBAL ID：201702223594488596 整理番号：17A0214281

信頼性のあるスピントルクMRAM製品のための技術【Powered by NICT】

Technology for reliable spin-torque MRAM products

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資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 21.5.1-21.5.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,信頼性があり製造可能なST MRAMのための重要な特徴として二地域:260°Cウェーブはんだ付前プログラミングのための十分なデータを保持したpMTJアレイ,256Mb,DDR3ST MRAMの製品チップの性能における新しい結果の概観を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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記憶装置 , 半導体集積回路

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