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J-GLOBAL ID：201702223611048634   整理番号：17A0025564

スピン移動トルクメモリ:装置,回路とシステム

Spin-Transfer Torque Memories: Devices, Circuits, and Systems

著者 (6件)： Fong Xuanyao (Institute of Microelectronics, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Singapore, Singapore) ,  Kim Yusung (Advanced Design, Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Venkatesan Rangharajan (, NVIDIA Research, Santa Clara, CA, USA) ,  Choday Sri Harsha (, Intel Labs, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Raghunathan Anand (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Roy Kaushik (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 104  号： 7  ページ： 1449-1488  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動トルク磁気メモリ(STT-MRAM)はその不揮発性とゼロ待機漏出,近無限耐久性,卓越した集積密度,受容可能な読取・書込性能,およびCMOSプロセス技術との両立性故に大きな研究の関心を得た。しかし,STT-MRAMが普遍性メモリ技術となるためには,克服する必要のある複数の障害がある。本論文は最初にSTT-MRAMの基本をレビューし,重要な実験的突破について議論した。その上で,装置設計概念と課題から始めて,STT-MRAMの最先端技術を議論した。対応するビット-セル設計解法についても提示し,続いてオンチップアプリケーションに適合するSTT-MRAMアーキテクチャを記述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： トルク ,  スピントロニクス ,  *MRAM ,  *不揮発性メモリ ,  *回路設計 ,  *キャッシュメモリ ,  記憶素子 ,  *磁気抵抗効果 ,  データ読取 ,  データ書込 ,  超小形回路技術 ,  高密度実装 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： スピン移動トルク ,  磁気トンネリング ,  不揮発性オンチップキャッシュ ,  オンチップ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (1件)： スピン移動トルク