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J-GLOBAL ID：201702223714820827   整理番号：17A0469392

Si(100)表面上に電着したNi膜の核形成と成長の速度論【Powered by NICT】

Nucleation and growth kinetics of electrodeposited Ni films on Si(100) surfaces

著者 (8件)： Philipsen Harold (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  Jehoul Hannes (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  Jehoul Hannes (Katholieke Universiteit Leuven-Campus De Nayer, Jan De Nayerlaan 5, 2860, Sint-Katelijne-Waver, Belgium) ,  Inoue Fumihiro (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  Vandersmissen Kevin (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  Yang Liu (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  Struyf Herbert (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  van Dorp Dennis (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 230  ページ： 407-417  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nおよびp型Si(100)上のニッケルの核形成と成長を調べ,スルファミン酸ニッケルとほう酸から成るめっき浴を使用することである。n型Siでは,水素ガス気泡吸着による核密度と堆積物欠陥に及ぼす印加電位及び電流密度の影響を研究した。p型Siのための陰極電流過渡現象を時間の関数として単調減衰を示し,成長核の光「シャドウイング」によるものであった。簡単なモデルを用いて,観測を説明した。,Ni堆積プロセスに及ぼすSi表面化学の影響を研究した。水素終端Siについて,核は半球形状を有していたが,陽極酸化表面上の球状核が得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 過渡現象 ,  めっき液 ,  *電着 ,  *ニッケル ,  アノード酸化 ,  電流密度 ,  気泡 ,  *核形成 ,  *ケイ素 ,  アミド硫酸 ,  *速度論 ,  界面化学 ,  ホウ酸
準シソーラス用語： 水素終端 ,  *シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ニッケル ,  シリコン ,  光誘起めっき(LIP) ,  成長速度論 ,  電着

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  電着 ,  Ni ,  核形成 ,  成長 ,  速度論