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J-GLOBAL ID：201702223818148233   整理番号：17A0766102

自己イオン注入してアニールしたSiの光ルミネセンス変化【Powered by NICT】

Photoluminescence evolution in self-ion-implanted and annealed silicon

著者 (6件)： Yang Yu (Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University) ,  Wang Chong (Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University) ,  Yang Rui-Dong (Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University) ,  Li Liang (Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University) ,  Xiong Fei (Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University) ,  Bao Ji-Ming (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 11  ページ： 4906-4911  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si+イオン注入したシリコンウエハを室温から種々の温度でアニールした950°Cまでの,種々の記録された温度(RET)での光ルミネセンス(PL)技術を用いて特性化した。豊富な光学的特徴が観察され,同定されたこれらPL曲線で明らかにした。異なった温度範囲でアニールしたこれらの試料のPLスペクトルは,それに対応して各発光ピークが支配的であった。R線,Sバンド,W線,フォノン支援W(TA)およびSi(TO)ピークのようないくつかの特徴は,異なる温度でアニールした試料のPLスペクトルで検出される。800°Cでアニールした試料では,D_1とD_2帯のような,禁止帯の深いエネルギー準位で囲まれた転位からの発光ピークは280Kの温度で観察された。これらのデータは,欠陥構造の厳しい変化は焼なまし,記録された温度によって操作できることを示した。主な光学的特徴の不活性化エネルギーは,異なる温度でのPLデータから抽出した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  活性化エネルギー ,  発光 ,  *イオン注入 ,  エネルギー準位 ,  キャラクタリゼーション ,  *ケイ素 ,  フォノン ,  *光ルミネセンス ,  焼なまし
準シソーラス用語： 欠陥構造 ,  Sバンド ,  光ルミネセンススペクトル ,  温度範囲 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光ルミネセンス ,  シリコン ,  イオン注入 ,  欠陥

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己 ,  イオン注入 ,  アニール ,  Si ,  光ルミネセンス