文献

J-GLOBAL ID：201702223983980325   整理番号：17A0819220

水素イオンビーム照射によるチタン酸ストロンチウムの物性制御

著者 (7件)： 中山亮 (京大 大学院) ,  前里光彦 (京大 大学院) ,  吉宗航 (京大 大学院) ,  山本隆文 (京大 大学院) ,  陰山洋 (京大 大学院) ,  寺嶋孝仁 (京大 大学院) ,  北川宏 (京大 大学院)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 97th  ページ： ROMBUNNO.2G1-10  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素は電子系との相互作用が大きいことから,水素導入により既存の物質の性質を劇的に変える可能性を秘めている。しかし,従来の水素導入法では,多様な物質に水素を導入することはできない。そこで,あらゆる物質に水素を導入できる方法として水素イオンビーム照射に着目した。本研究では我々が開発した水素イオンビーム照射装置を用いて,チタン酸ストロンチウム薄膜に対する水素イオンビーム照射及びin-situ温度可変伝導度測定を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *陽子 ,  *イオン照射 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  薄膜 ,  現場試験 ,  *電気伝導率 ,  輸送係数
準シソーラス用語： in-situ測定 ,  イオンビーム照射 ,  酸化物薄膜 ,  水素イオン ,  伝導度

分類 (3件)： イオンと分子の衝突・散乱  (BH07040L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素 ,  イオンビーム照射 ,  チタン酸ストロンチウム ,  物性