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J-GLOBAL ID：201702224569592911   整理番号：17A0444910

Zn~+を注入したZnO単結晶中の亜鉛空格子点が関係した複合体とその異常な光ルミネセンス【Powered by NICT】

Zinc vacancy-related complex and its abnormal photoluminescence in Zn⁺-implanted ZnO single crystals

著者 (5件)： Li Shuoxing (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  Li Jing (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  Wang Weitian (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  Ye Zhizhen (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China) ,  He Haiping (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 192  ページ： 133-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 亜鉛空格子点(V_Zn)は,ZnOの光学的および電気的性質の重要な役割を果たしているが,その挙動は完全には理解されていない。形成とZn~+を注入したZnO単結晶におけるV_Zn関連複合体の異常な光ルミネセンス(PL)を報告した。励起密度の増加に伴い,550nm付近に特徴的な,徐々に増加した広い発光を観測した。550nm発光は低パワーレベル励起下で予想外に不可視である,関連する欠陥中心の再結合の低優先度を示した。電子常磁性共鳴(EPR)の結果は,注入後V_Zn Zn_i複合体の形成,異常なPL特性の原因であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *単結晶 ,  電気的性質 ,  再結合 ,  *亜鉛 ,  励起 ,  *複合体 ,  発光 ,  *酸化亜鉛 ,  ESR【磁気共鳴】

著者キーワード (3件)： Semiconductors ,  欠陥 ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 注入 ,  ZnO ,  単結晶 ,  亜鉛 ,  空格子点 ,  複合体 ,  光ルミネセンス