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J-GLOBAL ID：201702224912920138   整理番号：17A0365211

ブロンズ法によるA15ベースV_3Ga超伝導体の成長,形態とミクロ集合組織の発達に及ぼすTiの役割【Powered by NICT】

Role of Ti on growth, morphology and microtexture evolution of A15-based V₃Ga superconductor by bronze technique

著者 (5件)： Santra S. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Makineni S.K. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Suwas S. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Chattopadhyay K. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Paul A. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 110  ページ： 404-413  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微量合金化による結晶粒微細化による生成相の粒界拡散律速成長動力学における例外的な増加の稀な実験的証拠を報告した。ブロンズ法による結合VとCu(Ga)固溶体によるV_3Ga超伝導体の成長中のTi添加は臨界電流密度(J)を有意に増加させた。本稿では,Ti添加の正確な役割はブロンズ法を模倣する系統的で定量的な拡散対実験に基づいて研究した。微細構造の特徴と成長機構のような金属学的側面を批判的に評価した。TiはVまたはCu(Ga)と固定Ga含有量の両方に添加すると結果を比較した。Vに比べてTi添加Cu(Ga)はV_3Gaの成長速度を増加させるさらに顕著であった。定量的EPMA分析はTiはV.に添加するとTiフリーおよびTi V_3Ga相の混合物が成長することを示した。TiはCu(Ga)だけに添加すると小析出物はTi含有V_3Gaと共に成長した。TEM観察は,これらの析出物はVとTiに富んでいることを示した。析出物を含む領域に見られる多くの微細粒は粒界拡散のために,より高い成長速度をもたらした。EBSD分析は等軸結晶粒を示し,合金化のために配向の比較的ランダムである。本研究では,Ti添加Cu(Ga)ことであるJ_に影響する冶金学的側面を考慮して最も効果的であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固溶体 ,  結晶粒 ,  結晶粒微細化 ,  析出物 ,  臨界電流密度 ,  *集合組織 ,  粒界拡散 ,  拡散対 ,  *チタン ,  *ガリウム ,  律速 ,  *ブロンズ法 ,  合金化 ,  成長速度
準シソーラス用語： EBSD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 超伝導体材料 ,  Microstructure ,  粒度分布 ,  粒界拡散 ,  微細構造

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ブロンズ法 ,  超伝導体 ,  成長 ,  形態 ,  集合組織 ,  発達 ,  Ti ,  役割