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J-GLOBAL ID：201702224950834839   整理番号：17A0445987

シリカポリ中空微小球による低誘電率の多孔質Si_2N_2O Si_3N_4多相セラミックのその場反応合成【Powered by NICT】

In-situ reaction synthesis of porous Si₂N₂O-Si₃N₄ multiphase ceramics with low dielectric constant via silica poly-hollow microspheres

著者 (9件)： Zhang Xiao-Yan (State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Na (School of Materials Science and Engineering, North University of China, Taiyuan 030051, China) ,  Lan Tian (School of Materials Science and Engineering, Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China) ,  Lu Yu-Ju (State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Gan Ke (State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wu Jia-Min (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Huo Wen-Long (State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xu Jie (State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yang Jin-Long (State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 5  ページ： 4235-4240  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低誘電率(ε_r<4.0)を有する多孔質Si_2N_2O Si_3N_4多相セラミックスを製造するために提案されている新規で容易なプロセス。シリカポリ中空ミクロスフェアはSiO_2と細孔形成剤の源として役立つ可能性があることから,それらをゲルキャスティング法によりSi_3N_4スラリーに導入した。このプロセスは焼結助剤の助けを借りてSiO_2とSi_3N_4間の液相焼結反応の恩恵を受け,Si_2N_2O相と多孔質構造のその場合成をもたらした。シリカポリ中空ミクロスフェアの含有量は最終製品の特性に大きな影響を持つ。シリカポリ中空ミクロスフェアの含有量が25wt%を超えるとSi_2N_2O相が主相となることを示した。,微細構造結果は,多くの小さな凝集体ミクロスフェアの細孔の含有量は,ミクロスフェア量が上昇するにつれて増加することを明らかにした。結果として,シリカポリ中空ミクロスフェアの添加と共に,バルク密度は1.32±0.01g/~3に減少し,開気孔率は28.4±0.4%から52.0±0.5%の範囲であった。25wt%シリカポリ中空ミクロスフェアを用いて調製した多孔質Si_2N_2O Si_3N_4多相セラミック添加は曲げ強さ42.3±3.8MPa,3.31の低い誘電率と1.93×10~ 3の損失正接を有していた。は優れた機械的および誘電特性を有する多孔質Si_2N_2O Si_3N_4複合材料レードーム材料に適用できるを作製する効果的な方法であることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 細孔 ,  *多孔性 ,  *誘電率 ,  容積重 ,  液相焼結 ,  *多相 ,  損失正接 ,  *ミクロスフェア ,  空隙率 ,  誘電性 ,  スラリー ,  曲げ強さ
準シソーラス用語： その場合成 ,  焼結助剤 ,  ゲルキャスティング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ミクロスフェア ,  酸化窒化けい素 ,  多孔質セラミック ,  誘電特性

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中空微小球 ,  低誘電率 ,  多相 ,  セラミック ,  その場反応