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J-GLOBAL ID：201702224956306658   整理番号：17A0703980

p型基本Te熱電材料の有効なドーパント【Powered by NICT】

Effective dopants in p-type elementary Te thermoelectrics

著者 (9件)： Qian Xin (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Xiao Yu ,  Zheng Lei ,  Qin Bingchao ,  Zhou Yiming ,  Pei Yanling ,  Yuan Bifei ,  Gong Shangkai ,  Zhao Li-Dong
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 29  ページ： 17682-17688  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本Teは理論計算による高性能熱電材料であることが予測され,実験結果は,キャリア濃度を最適化することによりこの予測を確認した。本研究では,300 673Kで非ドープTeの熱電輸送特性を調べ,室温と653KでZT~0.2低熱伝導率~1.8Wm~ 1K~ 1を明らかにするTe系の熱電性能をさらに改善するために,Te中のドーパントとしてのSn,Pb,Bi,およびSbを選択した。BiとSbは二桁の電気伝導率を高め,非ドープTeにおける~2Scm~ 1からそれぞれBiドープとSbドープ試料における300Kで~300Scm~ 1と~550Scm~ 1に効果的にことを見出した。一方,これらのドーパントが格子熱伝導率を有意に抑制,BiドープとSbドープ試料における673Kでの非ドープTeの1.22Wm~ 1K~ 1から0.68Wm~ 1K~ 1および0.73Wm~ 1K~ 1であったことができる。673KでTe_0Ti0.985Sb_0 0.015におけるTe_0.9925Bi_0 0.0075と~1.1~0.8の最大ZT値を達成できた。結果は,SbがTe系における有効なドーパントであることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ビスマス ,  *テルル ,  電気伝導率 ,  キャリア密度 ,  熱伝導率 ,  *熱電材料 ,  最適化 ,  アンチモン ,  *ドーパント ,  ドーピング
準シソーラス用語： 格子熱伝導率 ,  輸送特性 ,  理論計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Te ,  熱電材料 ,  ドーパント