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J-GLOBAL ID：201702225110880734   整理番号：17A0855046

ITO薄膜抵抗温度検出器の作製と特性評価【Powered by NICT】

Fabrication and characterization of ITO thin film resistance temperature detector

著者 (10件)： Wang Yanlei (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, PR China) ,  Wang Yanlei (Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Zhang Congchun (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, PR China) ,  Zhang Congchun (Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Li Juan (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, PR China) ,  Li Juan (Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Ding Guifu (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, PR China) ,  Ding Guifu (Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Duan Li (Key Laboratory for Thin Film and Micro Fabrication of the Ministry of Education, PR China) ,  Duan Li (Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 140  ページ： 121-125  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムスズ酸化物(ITO)薄膜抵抗温度検出器(RTD)を本研究でRFスパッタリングによりアルミナ基板上に作製した。走査型電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(A FM)画像は,アルゴンと酸素の下で堆積した薄膜は酸素なしで堆積した膜よりも滑らかで緻密であることを示した。20sccm以上の酸素を導入しないとき,膜はより化学量論。XRDの結果は,アルゴンと酸素の下で堆積したITOは,(222)の優先配向をもつIn_2O_3結晶構造を持ち,酸素なしで堆積した膜は(400)の優先配向を示すことが分かった。高温試験は,抵抗は温度とともに直線的に変化し,RTDは異なる温度範囲における異なる温度係数の抵抗(TCR)を持っていたことを明らかにした。TCRの絶対値が大きく,RTDは高い温度,特に600°Cから900°Cにおける有望な応用を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸素 ,  酸化スズ ,  結晶構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  *薄膜 ,  化学量論 ,  RFスパッタリング ,  高温試験 ,  *温度センサ ,  X線回折 ,  アルゴン ,  *キャラクタリゼーション ,  優先配向 ,  走査電子顕微鏡 ,  温度係数

著者キーワード (5件)： ITO ,  薄膜 ,  滞留時間分布(RTD) ,  TCR ,  センサ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ITO薄膜 ,  温度検出器 ,  作製 ,  特性評価