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J-GLOBAL ID:201702225131446398   整理番号:17A0551282

GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性

著者 (4件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.17p-P2-12  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 
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