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J-GLOBAL ID：201702225574269091   整理番号：17A0697829

硫化プラズマ中で成長させたDCマグネトロンスパッタCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜における無秩序性の研究【Powered by NICT】

Studies on the disorder in DC magnetron sputtered Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) thin films grown in sulfide plasma

著者 (3件)： Kaushik Deepak Kumar (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Rao Tata Narasinga (International Advanced Research Centre for Powder Metallurgy & New Materials (ARCI), PO Balapur, Hyderabad 500005, India) ,  Subrahmanyam A. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 314  ページ： 85-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4(CZTS)は,薄膜太陽電池において広く研究されている材料である。CZTS薄膜に富む銅と亜鉛の望ましい特性は,成長法と成長条件に関係なくいくつかの点欠陥と二次及び三次相を導入した。これらの欠陥と相は格子内に無秩序を導入した。本研究では,CZTS薄膜を硫化水素プラズマの存在下でCZT合金ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング技術を用いた520Kで調製した。CZTS薄膜は,30Wと40Wマグネトロン出力で調製した。X線回折とRaman分光法では,CZTS膜は多結晶と部分的に無秩序化した黄錫亜鉛鉱(PD KS)相を持つことを示した。エネルギー分散X線(EDX)分析によって示されるように成長したCZTS膜は銅と亜鉛に富む。膜の光学バンドギャップは1.56eVであった。PD KS CZTS膜の障害は低温度(300 20K)電気抵抗率とH all効果測定により研究した。無秩序p CZTS中の電荷キャリアの輸送はホッピング機構を経由して起こる。30Wマグネトロン出力で調製したCZTS膜は銅空格子点(V_Cu)のために,より無秩序構造である。Kelvinプローブ法により測定したCZTS薄膜の表面仕事関数は4.7eVであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  仕事関数 ,  光学ギャップ ,  X線回折 ,  亜鉛 ,  低温 ,  Raman分光法 ,  *プラズマ ,  電気抵抗率 ,  多結晶 ,  点欠陥 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  銅
準シソーラス用語： *CZTS ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  CZTS ,  マグネトロンスパッタリング ,  電子輸送 ,  無秩序システム

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 硫化 ,  プラズマ ,  成長 ,  DC ,  マグネトロンスパッタ ,  CZTS ,  薄膜 ,  無秩序性 ,  研究